用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法

摘要

使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性.基于Gabor的"主波分解"方法,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似,再对空间图像进行高斯卷积来模拟光刻胶的实际扩散效应,从而获得一种精确、快速用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法.根据光学系统的传输交叉系数的特性,提出和探讨了两种矩阵分解的方法.