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影响HEMT高频特性的因素分析

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摘要

在已建立模型的基础上,分析了AlGaAs/GaAs HEMT的几个重要参数(栅长、栅宽、掺杂AlGaAs层的厚度、未掺杂AlGaAs层的厚度、AlGaAs层掺杂浓度、栅压、漏压)对其高频特性的影响.

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来源
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》 |2000年第4期|276-279|共4页
作者
龚仁喜; 孟小碧;
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作者单位

广西大学,电气工程学院,广西,南宁,530004;

广西大学,电气工程学院,广西,南宁,530004;

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正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
HEMT; 高频特性; 因素分析;

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