基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计

摘要

RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移.文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0～180°步进22.5°的相移功能.通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V.仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 dB,回波损耗小于-25 dB,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能.