电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

摘要

利用进域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为，及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。