FDS3572：N-MOSFET

摘要

cqvip:飞兆半导体公司日前推出具有组合性能优势的SO-8封装的80V N沟道MOSFET FDS3572，它能在DC／DC转换器初级边和同步整流开关电源次级边设计中提供良好的系统整体效率。FDS3572的米勒电荷(Qgd)为7．5nnC，比有相似Rds(on)额定数值的产品要低38％。该器件的低米勒电荷和低导通电阻Rds(on)(16mΩ)降低了噪音(FOM=Rds(on)×Qgd)。