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N-mosfet跨导调制的器件设计

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本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小.主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变.设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件.基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据.

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来源
《科技传播》 |2011年第2期|205201|共2页
作者
杨建兴; 闫仕农; 温廷敦;
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作者单位

中北大学理学院物理系,山西,太原,030051;

中北大学理学院物理系,山西,太原,030051;

中北大学理学院物理系,山西,太原,030051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件 ;
关键词
跨导 ; 金属场效应晶体管; GaAs/AlGaAs; 异质结 ; 迁移率 ;

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