一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法

摘要

本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n‑MOSFET制备方法，在结衬底材料选定后、外延工艺实施前，先进行与p型岛光刻与硼注入，之后进行缓冲层外延和耐压层外延；后继工艺与常规功率MOSFET制备相同；p型岛注入窗口尺寸及硼注入剂量严格控制，保证器件导通态时处于单极模式情况下；同时在器件处于阻断态时，p型岛对缓冲层‑衬底高低结附近电场有调节作用，改善高低结附近电场分布，提高器件单粒子烧毁阈值。