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辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真

         

摘要

利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18 μm N沟道MOS-FET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallow trench isolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

著录项

  • 来源
    《现代应用物理》 |2017年第4期|43-47|共5页
  • 作者单位

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院大学,北京100049;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 金属-氧化物-半导体(MOS)器件;
  • 关键词

    TCAD仿真; 深亚微米MOS器件; 总剂量辐射效应; 辐射陷阱电荷;

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