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MOS器件的ESD失效

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摘要

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式；总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法；并提出了相应的静电防护措施.

著录项

来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2011年第6期|64-67|共4页
作者
赖忠有; 许清平;
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作者单位

中国空空导弹研究院,河南洛阳市471009;

中国空空导弹研究院,河南洛阳市471009;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
金属氧化物半导体器件; 静电放电模型; 静电防护;

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