MOS器件ESD失效的机理分析

摘要

本文介绍一种新方法—传输线脉冲技术,并用它对MOS器件ESD失效的机理进行了深入分析,其中包括PN结雪崩开通机构、CMOS损伤阈值、NMOS的锁定效应、MOS管V—I特性和脉宽对ESD失效的影响等分析内容。