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黄瑞毅;
失效分析;
机译:电光技术对塑料封装GaAs微波器件的失效分析
机译:带有ESD注入的65nm体CMOS ESD NMOSFET的ESD失效机理分析
机译:GaAs / AlGaAs器件中微波辐射诱导的磁阻振荡的微波功率/线性极化依赖性的组合研究
机译:采用65nm体CMOS技术的栅极硅化和栅极非硅化,漏极/源极硅化物阻挡的ESD NMOSFET的失效机理分析
机译:系统级ESD失效机理,分析和测试方法。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:微波辐照和激光振荡电阻的相位研究 dark-Gaas / alGaas器件:一类新的积分量子的指示 霍尔效应
机译:Gaas技术的失效机理研究
机译:半导体器件失效分析的包装及其使用的半导体器件失效分析方法
机译:用于设计半导体器件的ESD分析装置和ESD分析程序以及设计半导体器件的方法
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