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GaAs PHEMT器件的失效模式及机理

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摘要

归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移.

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来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2007年第6期|19-22|共4页
作者
许燕; 黄云; 邓文基;
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作者单位

华南理工大学物理科学与技术学院,广东,广州,510640;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

华南理工大学物理科学与技术学院,广东,广州,510640;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体管：按材料分;
关键词
砷化镓晶体管; 失效模式; 失效机理;

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