100V沟槽MOS器件的动态雪崩失效分析

摘要

为了更准确地认识功率器件在非钳位感性负载开关(UIS)测试中的动态雪崩失效过程,基于实际流片工艺,在Sentaurus TCAD软件中,采用元胞和终端并联仿真的方法,完成了两款不同终端耐压的100 V沟槽MOS器件的UIS仿真.通过仿真得到的各类特性参数,详细分析了两款器件的动态雪崩失效过程.结果表明器件在不同终端耐压条件下具有不同的动态雪崩失效机制,更高的终端耐压能够明显改善器件的雪崩性能,为功率MOS器件的可靠性设计和优化提供了理论指导.