公开/公告号CN103913687B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201310003710.5
申请日2013-01-06
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:50:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
授权
授权
2014-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20130106
实质审查的生效
2014-07-09
公开
公开
机译: 通过使用SiGe和/或Si:C进行栅极应力工程来制造体硅和SOI MOS器件中无位错应力沟道的结构和方法
机译: 通过栅极应力工程技术在体硅和SOI CMOS器件中释放无位错的应力沟道
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