机译:钳位电感关断瞬态期间载流子存储沟槽双极晶体管(CSTBT)的动态雪崩分析
Beihang Univ, Sch Reliabil & Syst Engn, Beijing 100191, Peoples R China;
Beihang Univ, Sch Reliabil & Syst Engn, Beijing 100191, Peoples R China;
CSTBT; Negative gate capacitance; Dynamic avalanche; IGBT; Power semiconductor device;
机译:高压载体存储沟槽双极晶体管,具有共阳极多晶硅二极管栅极结构,用于低米勒电容和低电磁干扰噪声
机译:高性能浮动P阱载体储存沟槽双极晶体管,具有L形屏蔽栅极
机译:具有场修改过的P基极区的高性能载流子存储沟槽双极晶体管
机译:载流沟槽栅双极晶体管(CSTBT)-一种用于高压应用的新型功率器件
机译:III型氮化物双极器件的开发:雪崩光电二极管,激光二极管和双异质结双极晶体管。
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:沟槽绝缘栅双极晶体管的分析
机译:高频高压大功率变流器晶体管和缓冲器关断动态分析