首页> 中文期刊> 《电子元器件应用》 >支撑21世纪通信产业的化合物半导体超高速器件

支撑21世纪通信产业的化合物半导体超高速器件

AI论文写作 >>

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与支撑地位,并对未来的发展趋势做一简单介绍.

著录项

来源
《电子元器件应用》 |2001年第11期|8-11,21|共5页
作者
谢永桂;
展开▼
作者单位

航天科技集团西安微电子技术研究所,710054;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
HBT; HEMT; 绝缘栅P-HEMT;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 支撑21世纪通信的超高速器件 [J] . 谢永桂 . 世界产品与技术 . 2002,第011期
2. 超高速化合物半导体器件(5) [J] . 谢永桂 . 电子元器件应用 . 2003,第001期
3. 超高速化合物半导体器件(6) [J] . 谢永桂 . 电子元器件应用 . 2003,第002期
4. 超高速化合物半导体器件(1) [J] . 谢永桂 . 电子元器件应用 . 2002,第009期
5. 超高速化合物半导体器件(2)Ⅲ-Ⅴ族化合物异质双极晶体管 [J] . 谢永桂 . 电子元器件应用 . 2002,第010期
6. 支撑21世纪通信的化合物半导体超高速器件 [C] . 谢永桂 . 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 . 2001
7. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件界面优化与制备工艺研究 [A] . 曾振华 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号