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最先端化合物半導体による超高速IC技術

机译:使用最新的化合物半导体的超高速IC技术

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摘要

NTT (鵜浦博夫社長)は、同社研究所内の最先端のInp (インジウムリ ン)化合物半導体R&Dプロセスによる超高速IC技術をォープン化してヽ外 部のパートナーとコラボレーシヨンし、さらなる技術革新を目指す。今年パー トナーの募集を行いヽ2019年には超高速ICの試作を開始する予定だ。
机译:NTT(浦田弘雄总裁)旨在通过基于公司研究实验室中最先进的Inp(铟麟)化合物半导体研发工艺的超高速IC技术,与外部合作伙伴合作,进一步推动技术创新。我们今年正在寻找合作伙伴,我们计划在2019年启动超高速IC的原型。

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    《科学新聞 》 |2017年第3618期| 1-1| 共1页
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