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使用单片三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)技术完成片上系统(SOC)

摘要

具体实施方式中公开的实施例包括使用单片三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)集成技术来完成片上系统的解决方案。本公开内容包括对单片3DIC内的层和所伴随的可能在层级之间穿过单片层级间过孔(MIV)的短的互连件进行定制来创建“芯片上的系统”或“片上系统”(都被称为(SOC))的能力的示例。具体来说,3DIC的不同层级被构建为支持不同的功能性并遵守不同的设计标准。因此,3DIC可具有模拟层、具有较高电压阈值的层、具有较低漏电流的层、电源层、用于实现需要不同基础材料的部件的不同材料的层、等等。不像叠置的管芯,上层可以与下层是相同的尺寸,因为不需要外部的引线连接。

著录项

  • 公开/公告号CN105378918B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201480039458.6

  • 发明设计人 Y·杜;

    申请日2014-07-14

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-04

    授权

    授权

  • 2016-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20140714

    实质审查的生效

  • 2016-03-02

    公开

    公开

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