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半導体装置、電力変換装置ならびに半導体装置の駆動方法

机译:半导体装置,功率转换装置以及半导体装置的驱动方法

摘要

To provide a semiconductor device which makes it possible to confirm the life of a gate insulative film by an actual article in a situation of being in practical use.SOLUTION: A semiconductor device 50 comprises: a gate electrode 7 formed on a gate insulative film 6; a dummy gate electrode 7d formed on a dummy gate insulative film 6d; a gate pad 10 connected to the gate electrode 7; and a dummy gate pad 10d connected to the dummy gate electrode 7d. The gate electrode 7 has the function of bringing the semiconductor device formed on an epitaxial substrate 20 to electrical conduction when a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied. However, the dummy gate electrode 7d does not have the function of bringing the semiconductor device formed on the epitaxial substrate 20 to electrical conduction.SELECTED DRAWING: Figure 2
机译:为了提供一种半导体器件,该半导体器件能够在实际使用中通过实际物品来确认栅极绝缘膜的寿命。解决方案:半导体器件50包括:形成在栅极绝缘膜6上的栅电极7。 ;在虚设栅极绝缘膜6d上形成的虚设栅电极7d。栅极焊盘10连接到栅电极7;伪栅极焊盘10d连接到伪栅电极7d。栅电极7具有当施加等于或高于阈值电压的电压时使在外延基板20上形成的半导体器件导通的功能。但是,伪栅电极7d不具有使形成在外延基板20上的半导体装置导通的功能。图2

著录项

  • 公开/公告号JP2019047010A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP;

    申请/专利号JP20170170026

  • 发明设计人 鹿口 直斗;

    申请日2017-09-05

  • 分类号H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336;G01R31/26;H02M7/48;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:23:44

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