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丛秋波;
不详;
22nm; 3D三维晶体管; 流处理器; Netronome;
机译:采用22nm技术的背栅ETSOI晶体管,具有写辅助电路的读取首选SRAM单元
机译:具有Intel FinFET晶体管的22nm Ivy Bridge微处理器
机译:下一代Netronome流处理器选择Intel 22nm Trigate晶体管工艺
机译:具有三栅极晶体管和MIMCAP COB的22nm高性能嵌入式DRAM SoC技术
机译:设计采用3维集成技术的高性能微处理器。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:基于数据流的高性能嵌入式处理器分层传感应用实现。
机译:采用双技术晶体管的高性能,低泄漏静态随机存取存储单元
机译:采用双技术晶体管的低泄漏高性能静态随机存取存储单元
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