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纳米晶体管; 英特尔公司; 处理器; 原型; 产出; 新闻; 技术; 晶体管设计;
机译:元素技术开发在线宽度45 nm英特尔,将晶体管原型TL The Thre 45 NM芯片的双倍时间
机译:英特尔展示功能性45纳米处理器原型
机译:开发线宽为45 nm或更高的Intel元素技术,Trigate晶体管原型Tl,使45 nm芯片的产量提高一倍
机译:知识模块对“英特尔45纳米晶体管和高k电介质”的影响,适用于本科半导体设备课程
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:使用由纳米压印光刻技术定义的硅纳米线阵列改善双栅晶体管传感器的感测特性
机译:晶体管门控技术:在45纳米技术中实现困晶体管的全减法器电路的设计
机译:采用质子增强扩散技术的微波晶体管生产工艺措施。
机译:双极型晶体管,特别是高速垂直双极型晶体管,是通过单多晶硅技术生产的,采用成核层改善了绝缘区域的成核性,并采用差分外延基极生产
机译:纳米金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(MOSFET)采用纳米通道结构,采用导电结构来传导耦合纳米结构
机译:在半导体工艺中采用纳米光刻技术制造单电子晶体管的方法
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