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机译:采用22nm技术的背栅ETSOI晶体管,具有写辅助电路的读取首选SRAM单元
机译:通过(+)22nm技术节点电路应用的常规离子注入,优化多栅极鳍式场效应晶体管结
机译:具有双栅极(逻辑和I / O)高k /金属栅极应变硅晶体管的45nm低功率系统的片上技术
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:源极门控晶体管可改善薄膜数字电路的数量级性能
机译:栅极扩散输入:快速数字电路技术(在180nm技术上实现)