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谢世诚;
无;
机译:推出用于英特尔处理器的45纳米金属门/ high-k:“成本增加百分之几,适用于32纳米”
机译:1.6 GHz四核应用处理器,采用32 nm高k金属栅极工艺制造,用于智能移动设备
机译:采用低温工艺硫注入肖特基源极/漏极制造的具有深亚纳米等效氧化物厚度(0.58 nm)的栅极第一金属栅极/高n-MOSFET
机译:英特尔®酷睿™处理器采用32纳米CMOS高K金属栅极工艺的高性能DDR架构
机译:具有各种高k栅极电介质的硅金属氧化物半导体系统的电子隧穿光谱。
机译:具有高再现性的Gold @ silver双金属纳米颗粒/金字塔硅3D基板用于高性能SERS
机译:界面电荷在基于高k的多晶硅和金属栅极纳米级MOSFET上的作用
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号940902s1.11377 UNIsYsCorporation。适用于Windows NT的Integrada,版本1.0。英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266 =>英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266
机译:在高k金属栅极平台技术中使用后栅极工艺形成晶体管栅极的多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:使用后栅极工艺形成晶体管栅极的高K金属栅极平台技术中形成多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:非易失性存储器(NVM)以及采用先栅极法的高k和金属栅极集成
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