線幅45nm以降の素子技術開発インテル、トライゲート·トランジスタ試作Tlは45nmチップの歩留まり倍増へ

摘要

米大手半導体メーカーが、線幅45Im以降の素子実用化を目指した開発を加速させている。 インテルは、立体的なトライゲート·トランジスタで実用的な素子を試作し、現行のプレーナー型トランジスタに比べ漏れ電流を約50分の1に減らすことに成功した。 テキサスインスツルメンツ（TI）は、消費電力の低下とともにウエハーから取れる個数を倍増させる45nmチップ用の製造技術を開発した。 両社とも2008～09年ごろの事業化を目指している。