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一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法

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摘要

本发明提供一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法，包括：形成第一结构的晶体管，至少包括一个具有源区、漏区、多晶硅栅、以及金属硅化物的NMOS和一个具有源区、漏区、多晶硅栅、以及金属硅化物、且源、漏区为SiGe填充层的PMOS；其中，多晶硅栅的侧壁依次结合有SiN偏墙、SiO

1. 一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法 [P] . 中国专利： CN104051340B . 2017.02.08
2. 一种采用应力记忆技术的NMOS器件制作方法 [P] . 中国专利： CN103021849B . 2015.09.09
3. The stress source is given adjoining to the gate electrode of the technical 1st field-effect transistor which in the transistor which quite is approached to the channel field by [P] . 日本专利： JP5576655B2 . 2014-08-20

机译：应力源与技术上的第一场效应晶体管的栅电极相邻，该晶体管在相当接近沟道场的晶体管中
4. TECHNIQUE FOR PROVIDING STRESS SOURCES IN TRANSISTORS IN CLOSE PROXIMITY TO A CHANNEL REGION BY RECESSING DRAIN AND SOURCE REGIONS [P] . 韩国专利： KR101430703B1 . 2014-08-14

机译：通过接近漏极和源极区域来提供接近通道区域的晶体管应力源的技术
5. TECHNIQUE FOR PROVIDING STRESS SOURCES IN TRANSISTORS IN CLOSE PROXIMITY TO A CHANNEL REGION BY RECESSING DRAIN AND SOURCE REGIONS [P] . 美国专利： US2010155850A1 . 2010-06-24

机译：通过接近漏极和源极区域来提供接近通道区域的晶体管应力源的技术