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晶体管; 英特尔; 技术; Gate;
机译:采用22nm技术的背栅ETSOI晶体管,具有写辅助电路的读取首选SRAM单元
机译:英特尔的22nm三栅极晶体管暴露
机译:采用22 nm Tri-Gate CMOS技术的1 Gb 2 GHz 128 GB / s带宽嵌入式DRAM
机译:第二代 sup>嵌入式DRAM,采用22nm Tri-Gate CMOS技术,自刷新能力降低4倍
机译:设计和生产采用HIGFET技术的高速采样器(具有异质结构和隔离栅的场效应晶体管)。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:具有3-D Tri-Gate和高k /金属栅极的22nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度SoC应用进行了优化
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号940902s1.11377 UNIsYsCorporation。适用于Windows NT的Integrada,版本1.0。英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266 =>英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266
机译:双极型晶体管,特别是高速垂直双极型晶体管,是通过单多晶硅技术生产的,采用成核层改善了绝缘区域的成核性,并采用差分外延基极生产
机译:技术信息发布系统,技术信息发布设备,技术信息发布方法,技术信息发布程序
机译:为了提高晶体管效率而采用晶体管特定触点设计的技术
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