基于三维SiP的高性能微处理器热能关键技术研究

摘要

经过40多年的发展，集成电路工艺发展到深亚微米和超深亚微米阶段，给高性能微处理器的发展带来了很多困难和挑战。二维集成技术的功耗问题、访存问题、片上互连问题，制约着高性能微处理器性能的进一步提高。三维 SiP是一种新的集成电路封装技术。通过在垂直方向堆叠多层芯片,三维 SiP可提高芯片的集成度，并有效地减少互连线长度，为设计高性能、高集成度的集成电路、多核/众核微处理器提供了有利条件,是未来集成电路重要的发展趋势。
　　三维集成电路中，多层芯片的垂直堆叠在使芯片的功率密度急剧增加的同时，还减少了芯片的散热表面积。由于中间芯片无法连接散热器，高性能微处理器原本严重的温度问题在三维 SiP中加剧，其性能和可靠性受到严重影响。因此在基于三维SiP的高性能微处理器中，温度管理至关重要。基于三维SiP的高性能微处理器的设计和温度管理很大程度取决于在芯片早期设计阶段的热分析的效果和温度的分布、变化规律模拟的准确性。因此研究和建立精确、高效的热模型是十分必要的。
　　传统的空冷散热器已无法满足基于三维 SiP的高性能微处理器的温度过高引入的散热需求。微通道液体冷却技术通过在芯片间建立微通道，采用更高效液体冷却散热，可快速排出芯片中的热量，降低芯片温度，是三维 SiP的一种有效的散热技术。3D-ICE是一种流行的微通道液体冷却的三维集成电路的瞬态温度模拟器，本文在利用3D-ICE对基于SiP的性能微处理器的模拟过程中发现，不同层间的温度差异较大。而TSV作为三维SiP中重要的组成结构，由于采用高热导率的金属，能促进三维集成电路层与层间的热传导。因此在进行温度模拟的过程中考虑TSV对热传导的影响是很有必要的。基于此，本文首先分析TSV的结构，根据其结构特点，对方形和圆形TSV在不同位置、结构的情况下进行热建模。然后修改3D-ICE模拟器，使其能对TSV结构进行模拟，并对模拟器的正确性进行分析验证，并分析TSV在不同布局、数量、大小时对三维集成电路的影响。最后利用修改后的模拟器分析了三维 SiP的散热特点，并据此从静态、动态两个方面提出适用于微通道液体冷却的三维集成电路的温度调节方案。

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第一章 绪论

1.1 研究背景和意义

1.2 基于三维SiP的高性能微处理器的温度管理

1.3 国内外研究现状

1.4 课题研究目标及主要工作

1.5 论文组织结构

第二章 基于三维SiP高性能微处理器的热模型与热分析方法

2.1 三维集成系统的热建模

2.2基于三维SiP的高性能微处理器的热模型与热分析

2.3 本章小结

第三章 面向三维SiP的高性能微处理器的TSV热建模与热分析

3.1 三维SiP的TSV简介

3.2面向三维SiP的高性能微处理器的TSV热建模与热分析

3.3 3D-ICE模拟器的修改

3.4 模型验证与讨论

3.5本章小结

第四章 基于三维SiP的高性能微处理器的温度管理

4.1 静态温度管理

4.2 动态温度管理

4.3 本章小结

第五章 结束语

5.1 工作总结

5.2 研究展望

致谢

参考文献

作者在学期间取得的学术成果