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KJ.1215;
无;
硅晶体管; 半导体; 氮化镓; 美国康奈尔大学; 高效低耗; 研究人员; 电力应用;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:新的屏障层设计用于制造氮化镓 - 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管常关晶体管
机译:氮化镓晶体管有望为LED带来更光明的未来
机译:基于印刷电路板集成电流传感器的氮化镓 - 氮化镓功率晶体管非常快速的短路保护
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:高K栅叠层氮化镓基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的表征和数值模拟
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:氮化镓半导体发光元件,制造氮化镓半导体发光元件的方法,氮化镓发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓半导体发光二极管的方法
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法,该晶体管在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点
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