机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:基于氮化镓的高电子迁移率晶体管的建模和仿真。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:高k基In0.75Ga0.25As金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的有效迁移率和霍尔效应迁移率分析