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李路; 徐俞; 曹冰; 徐科;
苏州大学光电科学与工程学院;
江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
ALN薄膜; ALGAN材料; 紫外LED; 异质外延; 纳米级孔洞;
机译:具有InGaN / AlGaN超晶格应变消除层和AlGaN势垒的GaN基近紫外LED的性能改进
机译:调制掺杂n-AlGaN外延层对278 nm AlGaN基倒装芯片发光器件的光电性能的影响
机译:金属有机气相外延生长具有深Al(As)Sb / InAsSb / Al(As)Sb量子的GaSb基纳米异质结构的光电性能
机译:等离子辅助分子束外延的AlGaN基深紫外LED
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:液相外延法生长光敏卟啉基MOF薄膜及其光电性能
机译:高Al含量的AlGaN基量子结构的设计,外延及其在紫外LED中的应用
机译:分子束外延生长的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章
机译:制造光电半导体芯片即LED芯片的方法涉及通过蚀刻工艺将生长表面图案化,以及将半导体有源层序列外延生长到图案化的生长表面
机译:具有负光电导特性的Ge外延层的生长以及使用该外延层的光电二极管的生长
机译:用于AlGaN生长的氢化物气相外延设备和方法
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