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一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法，该AlGaN基深紫外LED外延片为在Si(111)衬底上自下而上依次生长有AlN缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、SiN

1. 一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108597988A . 2018-09-28
2. Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 [P] . 中国专利： CN112563380A . 2021-03-26
3. Active region containing nanodots (also referred to as “quantum dots”) in mother crystal formed of zinc blende-type (also referred to as “cubic crystal-type”) AlyInxGal-y-xN Crystal (y□≧ 0, x 0) grown on Si substrate, and light emitting device using the same (LED and LD) [P] . 美国专利： US9755111B2 . 2017-09-05

机译：由锌混合型（也称为“立方晶型”）形成的母晶体中含有纳米点（也称为“量子点”）的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体（y [[□]] [≧ [0，x> 0）生长在Si衬底上，以及使用该衬底的发光器件（LED和LD）
4. Low sheet resistance GaN channel on Si substrates using InAlN and AlGaN bi-layer capping stack [P] . 美国专利： US9660064B2 . 2017-05-23

机译：使用InAlN和AlGaN双层封盖堆叠的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道
5. LOW SHEET RESISTANCE GAN CHANNEL ON SI SUBSTRATES USING INALN AND ALGAN BI-LAYER CAPPING STACK [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3087608A4 . 2017-07-19

机译：使用INALN和Algan双层覆盖层的SI衬底上的低抗剪GAN通道