RIKEN, 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama, 351-0198 Japan Saitama Univ. 255, Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama City, Saitama, 388-8570 Japan JST, CREST, 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi, Saitama, 322-0012,Japan;
RIKEN, 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama, 351-0198 J;
deep-UV LED; AlGaN; AlN; quaternary InAlGaN; threading dislocation density; MOCVD;
机译:基于蓝宝石的高质量AIN制造的222-282 nm AIGaN和基于InAIGaN的深紫外LED
机译:在AlN / Sapphire模板上制造的(IN)基于Algan的深紫外发光二极管中的电流诱导的降解过程
机译:通过改善AlN / AlGaN模板的晶体质量,显着提高了基于InAlGaN的紫外LED的输出功率
机译:222-282 NM AlGan和InalGan基于深紫色LED,制造了高质量的ALN模板
机译:降低缺陷密度的nAlGaN模板层可改善输出深紫外LED
机译:基于AlGaN多量子阱的表面等离子体增强的深紫外发光二极管
机译:227-261NM基于Algan的深度紫外发光二极管,在蓝宝石的高质量Aln缓冲区上制造