N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构及其制备方法，所述N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构包括：在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面AlN缓冲层、碳掺杂半绝缘化N极性AlN缓冲层、碳掺杂N极性面组分渐变AlyGa1‑yN缓冲层和非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层；其中，x＝0.5～0.8，y＝0.75～0.95。本发明提供的N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构，增强了AlGaN基紫外探测器的功率和探测率，提高了紫外光电探测器的光电响应度并有效降低后续器件加工难度；本发明提供的制备方法，降低了高温MOCVD生长的N极性AlGaN外延层的位错密度和表面粗糙度。