GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备

摘要

GaN是最有前景的直接跃迁宽带隙半导体材料之一，它具有优良的光电性质和优异的机械性能，被认为是制备短波长光电子器件的最佳材料之一。紫外光电探测器可用于科研、军事、太空、环保和其它许多工业领域中。而金属-半导体-金属（MSM）结构的器件因其平面型，工艺简单，便于集成等优点倍受人们的青睐。因此，近年来，用GaN材料制备的MSM光电探测器是人们研究的热门课题之一。本文依据MSM结构探测器的工作原理，设计了器件的结构参数，并分别以蓝宝石和GaAs为衬底材料生长了六方结构和四方结构的GaN材料，在此基础上制备出GaN-MSM紫外光探测器，并取得了一些有意义的结果,我们的器件光响应度最好可达0.21A/W...