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张骏; 王帅; 陈景文; 梁仁瓅; 杜士达; 戴江南; 陈长清;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
深紫外发光二极管; 结构设计; 氮化铝镓; 外延生长;
机译:AlGaN基紫外发光器件的载流特性:WLED劣化机理
机译:等离子辅助分子束外延的AlGaN基深紫外LED
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:ITO / Ga2O3 / Ag / Ga2O3透明导电电极的AlGaN基紫外LED的制备和表征
机译:高Al含量的AlGaN基量子结构的设计,外延及其在紫外LED中的应用
机译:基于alN / alGaN超晶格的光电器件的制备
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:紫外线LED外延生产方法及紫外线LED
机译:作为衬底的al x ga(1-x),用于红外-led的外延晶片,红外-led,用于衬底的al x ga(1- x)的生产方法,用于制备外延晶片的工艺,用于红外LED的方法和生产红外LED的方法
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