Design and epitaxy of high Al-content AlGaN-based quantum structures and their applications for UV LEDs

摘要

深紫外LEDs在照明、印刷、杀菌消毒、环境保护、以及非视距军事保密通信等方面都有重大的应用价值和广泛的市场前景。经过研究者们多年的不断努力，AlGaN紫外LEDs虽然取得了大幅度进展，但由于高Al组分AlGaN结构材料存在着外延困难、缺陷密度高、强极化、掺杂激活难、正面出光少等科学和技术难题，其发光功率和效率与高亮度可见光LEDs相比还远不能令人们满意，波长短于300nm的深紫外LEDs的发光效率普遍较低。本论文采用MOVPE外延技术，结合材料的结构和性能表征以及第一性原理计算模拟方法，对高Al组分AlGaN材料外延和电导控制，以及紫外LEDs有源层结构设计、外延生长、器件制备等开展了系统研究...