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罗海荣;
重庆光电技术研究所;
同质结; 液相外延; 欧姆接触;
机译:通过使用由GaAs衬底制造的独立式GaN衬底,高效能380 nm紫外线发光二极管的效率下降了3%
机译:基于GaAs和AlGaAs外延层的GaAs衬底上具有发展表面积的光伏转换器
机译:基于GaAs衬底上外延GaAs和AlGaAs层的光电转换器,具有发达的表面积
机译:具有光子晶体结构的GaAs衬底上GaAs发光二极管的外部量子效率的增强
机译:下一代中波红外级联发光二极管:GaAs和集成电路上的宽带,多光谱和单色器件的生长
机译:GaAs1-xBix / GaNyAs1-y II型量子阱:基于GaAs的近红外和中红外光子学的新型应变平衡异质结构
机译:Gaas衬底上的多光谱中红外发光二极管
机译:硅衬底上中红外Gesn发光二极管的研制。
机译:具有可控制的电阻率的大面积GaAs的晶体生长过程以及由此形成的具有EMI-EMP保护的红外窗口/圆顶
机译:面积大,功能强的高亮度氮化物基发光器件,采用耐火材料支撑衬底层
机译:面积大,功能强的高氮化物基发光器件,支持衬底层
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