Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности

摘要

Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 10~4 CM~(-2). В частности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны 0.65 мкм была выше на 150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности.