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周海龙; 黄柏标; 潘教青; 于永芹; 尉吉勇; 陈文澜; 齐云; 张晓阳; 秦晓燕; 任忠祥; 李树强;
山东大学晶体材料国家重点实验室;
山东华光光电子有限公司;
发光二极管; 稳定性; 厚度; 砷化镓; GaAs; MOCVD; 薄膜; 化学气相沉积法;
机译:GaAs缓冲层厚度对InP衬底上生长的GaAs MESFET的低频和微波噪声的影响
机译:厚度对转移到Si衬底上的GaN薄膜发光二极管的光学特性和应变分布的影响
机译:蓝宝石衬底厚度对450 nm InGaN / GaN多量子阱发光二极管特性的影响
机译:ARP / GaAs中ER激励截面上有源层厚度的影响:ER,O / GAINP双异质结构发光二极管
机译:Rayleigh-Taylor不稳定性对象Charon之类的柯伊伯带天体上未分化表层厚度的影响。
机译:GaAs衬底取向对InAs量子点的影响:表面形态临界厚度和光学性质
机译:Gaas衬底取向对Inas量子点的影响:表面形貌,临界厚度和光学性质
机译:Gaas(001)衬底取向偏向(111)对In(x)Ga(1-x)as / Gaas光学性质的影响
机译:通过在外延晶片上制造发光二极管器件,切割外延晶片,将器件管芯倒装芯片键合以安装并减小生长衬底的厚度来制造倒装芯片发光二极管器件
机译:用于辐射稳定性的硬件软件系统研究了基于飞秒脉冲激光源的基于GaAs和Si的集成电路对单个带电粒子的影响
机译:声学谐振腔滤波器,由于管芯衬底的厚度而降低了电磁影响
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