掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
International conference on defects in semiconductors
International conference on defects in semiconductors
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
X-ray absorption measurement by scanning capacitance microscopy
机译:
X射线吸收测量通过扫描电容显微镜
作者:
Masashi Ishii
;
Takayuki Uchihashi
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
SCM-XAFS;
surface trapping center;
micro-spectroscopy;
gallium oxide;
2.
Mutual passivation of group IV donors and isovalent nitrogen in diluted GaN_xAs_(1-x) alloys
机译:
在稀释的GaN_As_(1-X)合金中,静脉醚族供体和异戊二烯的相互钝化
作者:
K.M. Yu
;
J. Wu
;
W. Walukiewicz
;
W. Shan
;
J.W. Beeman
;
D.E. Mars
;
D.R Chamberlin
;
M.A. Scarpulla
;
O. D. Dubon
;
M.C. Ridgway
;
J.F. Geisz
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
mutual passivation;
diluted nitride;
band anticrossing;
band gap reduction;
3.
Interstitial H_2 in Si: are all problems solved?
机译:
SI的鸿沟H_2:是否解决了所有问题?
作者:
Michael Stavola
;
E Elinor Chen
;
W. Beall Fowler
;
G. Alvin Shi
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
H_2;
Si;
vibrational spectroscopy;
4.
Mapping the energy levels of the self-interstitial in diamond
机译:
在钻石中映射自夸缩的能量水平
作者:
Hannah E. Smith
;
Gordon Davies
;
M.E. Newton
;
H. Kanda
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
interstitial;
diamond;
uniaxial stress;
symmetry;
5.
NV centers in diamond: spin-selective photokinetics, optical ground-state spin alignment and hole burning
机译:
金刚石中的NV中心:旋转选择性光动力学,光学地面旋转对准和孔燃烧
作者:
A.P. Nizovtsev
;
S.Ya. Kilin
;
F. Jelezko
;
I. Popa
;
A. Gruber
;
J. Wrachtrup
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
single defect;
quantum optics;
NV center;
diamond;
6.
Structural and optical studies on mesoscopic defect structure in highly conductive AgI-ZnO composites
机译:
高导电AGI-ZnO复合材料中介观缺陷结构的结构和光学研究
作者:
Fumito Fujishiro
;
Shosuke Mochizuki
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
defects in oxides;
defects at/near surfaces and interfaces;
7.
Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer
机译:
基于SiGe层的Si中ER光致发光的拉伸菌株的影响
作者:
T. Ishiyama
;
M. Yoshida
;
Y. Yamashita
;
Y. Kamiura
;
T. Date
;
T. Hasegawa
;
K. Inoue
;
K. Okuno
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
erbium;
silicon;
tensile strain;
photoluminescence;
8.
Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation
机译:
通过离子植入与TM的ZnO光学掺杂
作者:
E. Rita
;
E. Alves
;
U. Wahl
;
J.G. Correia
;
A.J. Neves
;
M.J. Soares
;
T. Monteiro
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
ZnO;
tm doping;
RBS/channeling;
PL;
9.
A comparison of extended defect formation induced by ion implantation in (0001) and (1120) 4H-SiC
机译:
(0001)和(1120)4H-SiC中的离子注入诱导延长缺陷形成的比较
作者:
J. Wong-Leung
;
M.K. Linnarsson
;
B.G. Svensson
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
ion implantation;
silicon carbide;
extended defects;
10.
Donor-related defect states in ZnO substrate material
机译:
ZnO衬底材料中的供体相关的缺陷状态
作者:
A. Schildknecht
;
R. Sauer
;
K. Thonke
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
ZnO;
donors;
PL;
two-electron satellite;
haynes' rule;
11.
Dominant boron-related radiation defect in silicon revealed by hydrogenation
机译:
氢化透析的硅中显性硼相关的辐射缺陷
作者:
N. Yarykin
;
O.V. Feklisova
;
J. Weber
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
silicon;
radiation defects;
hydrogen;
12.
Prediction of XPS spectra of silicon self-interstitials with the all-electron mixed-basis method
机译:
全电子混合法预测硅片自血栓间XPS光谱
作者:
Takeshi Nishimatsu
;
Marcel Sluiter
;
Hiroshi Mizuseki
;
Yoshiyuki Kawazoe
;
Yuzuru Sato
;
Masayasu Miyata
;
Masamitsu Uehara
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
ab initio;
X-ray photoelectron spectroscopy;
defect formation energy;
amorphous silicon;
13.
An ionic model for the (+/-) pinning level of hydrogen and muonium in semiconductors
机译:
半导体中氢气和μ℃的离子模型
作者:
S.F.J. Cox
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
hydrogen defect centres;
pinning level;
band lineups;
muonium;
14.
Exciton-polariton behaviour in bulk and polyerystalline ZnO
机译:
散装和聚合金ZnO中的激子 - Polariton行为
作者:
Enda McGlynn
;
James Fryar
;
Martin O. Henry
;
Jean-Paul Mosnier
;
James G. Lunney
;
Donagh O Mahony
;
Eduardo dePosada
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
excitons;
polaritons;
thin films;
ZnO;
15.
In situ spectroscopic measurement of defect formation in SiO_2 induced by femtosecond laser irradiation
机译:
由飞秒激光辐射诱导的SiO_2缺陷形成的原位光谱测量
作者:
N. Fukata
;
Y. Yamamoto
;
K. Murakami
;
M. Hase
;
M. Kitajima
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
E' center;
self-trapped exciton;
in situ spectroscopic measurement;
SiO_2;
16.
Hydrogen-nitrogen complexes in GaP_yN_(1-y) alloys
机译:
间隙(1-Y)合金中的氢 - 氮气复合物
作者:
Amore Bonapasta
;
F. Filippone
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
hydrogen;
Ⅲ-Ⅴ dilute alloys with nitrogen;
17.
Radiation damage in silicon studied in situ by nanocalorimetry
机译:
硅的辐射损伤原位由纳米纳米米法研究
作者:
J.-F. Mercure
;
R. Karmouch
;
Y. Anahory
;
S. Roorda
;
F. Schiettekatte
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
nanocalorimetry;
damage;
annealing;
DSC;
18.
Electrical properties of nanoclusters in hydrogenized monocrystalline silicon
机译:
氢化单晶硅中纳米能器的电性能
作者:
Kh.A. Abdullin
;
Yu.V. Gorelkinskii
;
B.N. Mukashev
;
A.S. Serikkanov
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
hydrogen in si;
bistable defects;
shallow donor;
nanoclusters;
19.
The origin of EL2 family evidenced by STM direct observations of individual photoquenching behaviors
机译:
EL2家族的起源通过STM直接观察单个光析行为所证明
作者:
Akira Hida
;
Yutaka Mera
;
Koji Maeda
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
scanning tunneling microscopy;
GaAs;
EL2 family;
photoquenching;
20.
Far IR magnetoabsorption in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures
机译:
Ge / gesi多量子阱异质结构的远程IR磁吸收
作者:
V.Ya. Aleshkin
;
I.V. Erofeeva
;
V.I. Gavrilenko
;
A.V. Ikonnikov
;
D.V. Kozlov
;
O.A. Kuznetsov
;
D.B. Veksler
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
shallow acceptors;
quantum wells;
magnetoabsorption;
far infrared range;
21.
Molecular electronic model, vibronic interactions, and selective intensity transfer for levels ~4T_2(G) of Mn~(2+) in ZnS and ZnSe
机译:
ZNS和ZnSE中Mn〜(2+)水平〜4t_2(g)水平的分子电子模型,颤音相互作用和选择性强度转移
作者:
R. Parrot
;
D. Boulanger
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
Ⅱ-Ⅵ compounds;
impurities;
optical energy levels;
d~5 ions;
22.
Ab initio modeling of N-H, P-H and As-H defects in ZnSe
机译:
Znse中N-H,P-H和AS-H缺陷的AB INITIO模型
作者:
V.J.B. Torres
;
J. Coutinho
;
P.R. Briddon
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
zinc selenide;
acceptors;
hydrogen;
doping;
23.
Density-functional theory calculations on H defects in Si
机译:
密度函数理论计算SI中H缺陷
作者:
N. Martsinovich
;
A.L. Rosa
;
M.I. Heggie
;
C.P. Ewels
;
P.R. Briddon
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
silicon;
hydrogen;
dislocations;
density-functional theory;
24.
Annealing behavior of the system of metastable hydrogen-related defects M3/M4 in n-GaAs
机译:
N-GaAs中亚稳氢相关缺陷M3 / M4系统的退火行为
作者:
O.A. Soltanovich
;
E.B. Yakimov
;
V.A. Kagadei
;
S.V. Romanenko
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
GaAs;
hydrogen;
metastability;
deep levels;
25.
Defect identification for the As_(Ga) family
机译:
AS_(GA)家庭的缺陷识别
作者:
H. Overhof
;
J.-M. Spaeth
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
EL2;
antisite defects;
LSDA;
hyperfine interaction;
26.
Vacancy-type defects in brown diamonds investigated by positron annihilation
机译:
通过正电子湮灭调查的棕色钻石中空置型缺陷
作者:
V. Avalos
;
S. Dannefaer
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
brown IIa diamond;
positron annihilation;
27.
Radiation-resistant properties of Ga-doped Si analyzed by DLTS
机译:
DLTS分析的GA掺杂Si的抗辐射性能
作者:
M. Yamaguchi
;
A. Khan
;
T.K. Vu
;
Y. Ohshita
;
T. Abe
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
DLTS analysis;
radiation-induced defects;
si;
Ga-doped;
28.
A universal model for trends in A_1-type defect states in zincblende and diamond semiconductor structures
机译:
ZincBlende和金刚石半导体结构中A_1型缺陷状态趋势的通用模型
作者:
A. Lindsay
;
E.P. OReilly
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
band anti-crossing model;
dilute nitrides;
tight-binding method;
29.
Boron-related luminescence in SiC
机译:
与硼相关的发光
作者:
A. Henry
;
M.S. Janson
;
E. Janzen
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
photoluminescence;
SiC;
impurity;
boron;
30.
Vibrational modes of a di-hydrogen complex in GaAs
机译:
GaAs中的二氢络合物的振动模式
作者:
W. Ulrici
;
M. Jurisch
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
GaAs;
hydrogen;
deuterium;
vibrational modes;
31.
High-resolution local vibrational mode spectroscopy of the negatively charged oxygen-vacancy complex in germanium
机译:
锗中带负电荷的氧空位复合物的高分辨率局部振动模式光谱
作者:
P. Vanmeerbeek
;
P. Clauws
;
B. Pajot
;
A. Nylandsted Larsen
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
germanium;
VO-center;
irradiation;
LVM mode;
32.
Positron annihilation of defects in silicon deformed at different temperatures
机译:
正电子在不同温度下变形的硅缺陷的正电子湮灭
作者:
H.S. Leipner
;
V.V. Mikhnovich Jr.
;
V. Bondarenko
;
Z. Wang
;
H. Gu
;
R. Krause-Rehberg
;
J.-L. Demenet
;
J. Rabier
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
plastic deformation;
silicon;
dislocations;
vacancy clusters;
33.
Annealing of vacancies and interstitials in diamond
机译:
退火钻石中的空缺和间隙
作者:
K. Iakoubovskii
;
I. Kiflawi
;
K. Johnston
;
A. Collins
;
G. Davies
;
A. Stesmans
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
diamond;
interstitial;
vacancy;
irradiation;
34.
Noise spectroscopy of metastable deep level centers in Mg-doped GaN
机译:
Mg-Doped GaN中亚稳态深度中心的噪声光谱
作者:
D. Seghier
;
H.P. Gislason
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
GaN;
metastable defects;
noise;
35.
Czochralski silicon characterization by using thermoelectric power measurements at high pressure
机译:
Czochralski硅表征在高压下使用热电功率测量
作者:
V.V. Shchennikov
;
S.V. Gudina
;
A. Misiuk
;
S.N. Shamin
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
czochralski silicon;
thermoelectric power;
high pressure;
36.
Iron disilicide formed in a-Si< Fe > thin films by magnetron co-sputtering
机译:
在A-Si
在A-Si
薄膜中形成的铁二硅酸钠通过磁控管共溅射
作者:
V.Kh. Kudoyarova
;
E.I. Terukov
;
O.I. Konkov
;
O.B. Gusev
;
V.Yu. Davydov
;
G.N. Mosina
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
magnetron;
iron dicilicide;
thin films;
photoluminescence;
37.
Optical and electrical characterization of high-quality P-doped ZnTe substrates
机译:
高质量P掺杂ZnTe基材的光学和电气表征
作者:
Kenji Yoshino
;
Minoru Yoneta
;
Takayuki Yabe
;
Kenzo Ohmori
;
Hiroshi Saito
;
Masakazu Ohisihi
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
ZnTe;
point defect;
photoluminescence;
hall measurement;
38.
Implantation angle dependent study of vacancy related defect profiles in ion implanted silicon
机译:
离子植入硅空位相关缺陷型空位的植入角度依赖性研究
作者:
M.D.H. Lay
;
J.C. McCallum
;
C. Jagadish
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
deep-level transient spectroscopy;
silicon;
channeling;
ion implantation;
39.
Deep hole traps in Be-doped Al_(0.2)Ga_(0.8)As layers grown by molecular beam epitaxy
机译:
深孔陷阱,掺杂的Al_(0.2)Ga_(0.8),作为分子束外延的层生长
作者:
J. Szatkowski
;
K. Sieranski
;
A. Hajdusianek
;
E. Placzek-Popko
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
deep levels;
AlGaAs;
DLTS;
40.
Dislocation mobility and photoluminescence of plastically deformed GaN
机译:
塑性变形GaN的错位流动性和光致发光
作者:
I. Yonenaga
;
S. Itoh
;
T. Goto
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
nitrides;
dislocations;
photoluminescence;
structure;
41.
Electrical defects introduced during high-temperature irradiation of GaN and AlGaN
机译:
GaN和AlGaN的高温照射期间引入的电气缺陷
作者:
M. Hayes
;
F.D. Auret
;
L. Wu
;
W.E. Meyer
;
J.M. Nel
;
M.J. Legodi
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
high temperature;
irradiation;
GaN;
AlGaN;
42.
Carbon-related complexes in neutron-irradiated silicon
机译:
中子辐照硅中的碳相关复合物
作者:
C.A. Londos
;
M.S. Potsidi
;
E. Stakakis
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
neutron irradiation;
carbon complexes;
43.
Formation of stable N-V-O complexes in Si
机译:
在SI中形成稳定的N-V-O复合物
作者:
H. Kageshima
;
A. Taguchi
;
K. Wada
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
Si;
N-V-O complex;
first-principles calculations;
formation energy;
44.
The unusual influence of intrinsic defects on the diffusion of Ag and Cu in CdTe
机译:
内在缺陷对CDTE中Ag和Cu扩散的异常缺陷的不寻常影响
作者:
H. Wolf
;
F. Wagner
;
T. Wichert
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
diffusion;
group I elements;
intrinsic defects;
CdTe;
45.
Electrical signature for configurational bistability of self-interstitial clusters in ion-damaged silicon
机译:
离子损坏硅中自透压簇的配置双稳态的电气签名
作者:
P.K. Giri
;
v.340-342 2003
会议名称:
《International conference on defects in semiconductors》
|
2003年
关键词:
metastable defects;
interstitial clusters;
DLTS;
ion irradiation;
意见反馈
回到顶部
回到首页