大面积GaAs衬底腐蚀工艺

摘要

本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、溶液的搅动；7、腐蚀阻挡层的去除。本发明可以广泛应用于III-V高效太阳电池、大功率AlGaInP LED器件、GaAs基薄膜电子学器件等。