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王向武; 张岚; 黄子乾; 潘彬; 李肖; 李忠辉;
南京电子器件研究所;
长春光学精密机械学院;
金属有机化合物化学气相沉积; 铝镓砷; 碳掺杂; 激光器;
机译:碳和锌p包层掺杂LP MOCVD生长的InGaAs / AlGaAs低发散大功率激光异质结构的比较
机译:具有碳掺杂基极的高性能MOCVD生长的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:MOCVD生长的高性能碳掺杂基GaAs / AlGaAs异质结双极晶体管
机译:MOCVD在N_2周围环境中使用MO Group V源通过MOCVD生长的高功率808nm二极管激光器
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:具有e逝场相互作用的大功率石墨烯锁模Tm / Ho共掺杂光纤激光器
机译:MBE在MoCVD GaN模板上生长的碳掺杂GaN的电气和光学性质使用CCL4掺杂剂来源
机译:使用四乙基锡作为N型掺杂剂源在Gaas,alGaas和alas中用于mOCVD生长的激光器和布拉格反射器
机译:AlGaAs基半导体激光器的制造方法,AlGaAs基半导体器件的制造方法和化合物半导体生长方法
机译:通过MOCVD生长具有拉伸梯度碳掺杂基极层的异质结双极晶体管
机译:使用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长AlGaAs层
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