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808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

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摘要

通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．

著录项

来源
《半导体学报》 |1997年第2期|108-112|共5页
作者
朱东海; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 李胜英; 王占国;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
量子阱; 半导体激光器; 砷化镓; AlGaAs; 激射波长;

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