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【2h】

Influence of doping on the performance of GaAs/AlGaAs QWIP for long wavelength applications

机译：掺杂对长波长应用的GaAs / Algaas QWIP性能的影响

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A. Billaha; M.K. Das;
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年度 2016
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1. Influence of doping on the performance of GaAs/AlGaAs QWIP for long wavelength applications [J] . Billaha A., Das M. K. Opto-electronics review . 2016,第1期

机译：掺杂对长波长应用中GaAs / AlGaAs QWIP性能的影响
2. Long-wavelength 256/spl times/256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector (QWIP) palm-size camera [J] . Gunapala S.D., Bandara S.V. IEEE Transactions on Electron Devices . 2000,第2期

机译：长波长256 / spl次/ 256 GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器（QWIP）掌上型相机
3. 640/spl times/486 long-wavelength two-color GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector (QWIP) focal plane array camera [J] . Gunapala S.D., Bandara S.V. IEEE Transactions on Electron Devices . 2000,第5期

机译：640 / spl次/ 486长波长两色GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器（QWIP）焦平面阵列相机
4. Control over dark current densities and cutoff wavelengths of GaAs/AlGaAs QWIP grown by multi-wafer MBE reactor [C] . K. Roodenko, K.K. Choi, K. P. Clark, Infrared sensors, devices, and applications VI . 2016

机译：多晶片MBE反应器生长的GaAs / AlGaAs QWIP的暗电流密度和截止波长的控制
5. Far-infrared studies of electron-electron interactions in Si-doped GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. [D] . Jiang, Zhenxin. 1997

机译：掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
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机译：峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
7. Molecular beam epitaxy of modulation doped N-AlGaAs/(InAs/GaAs)/GaAs superlattices at thikness of InAs layers below and near threshold of nucleation quantum dots for high frequency applications [O] . Mokerov V.G., Fedorov Yu.V., Hook A.V., 2000

机译：在高频应用中，在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下，调制掺杂N-AlGaAs /（InAs / GaAs）/ GaAs超晶格的分子束外延
8. GaAs/AlGaAs broad-band and multi-band large format long-wavelength quantum well infrared photodetector (QWIP) focal plane arrays [R] . Gunapala, S. D., Bandara, S. V., Liu, J. K., 2001

机译：Gaas / alGaas宽带和多波段大幅面长波量子阱红外光电探测器（QWIp）焦平面阵列

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