用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器

摘要

介绍了２ ．６ μｍ Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ－ Ｎ 异质结光电探测器，组分渐变层对调节 Ｉｎ Ｐ衬底与 Ｉｎ０ ．８２ Ｇａ０ ．１８ Ａｓ 之间的２ ％ 的晶格失配是有效的。在２ ．１ μｍ ～２ ．６ μｍ 区域，量子效率为７０ ％ ～７５ ％ ；室温下约－ ２ Ｖ 时， Ｉｄ ＝ ３ ．５ μ Ａ。