机译:使用顺序制造工艺的INGAAS光电探测器INGAAS光电探测器的单片3D集成
Korea Adv Inst Sci & Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
Korea Inst Sci & Technol Seoul 02792 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci & Engn Seoul 04763 South Korea;
Korea Inst Sci & Technol Seoul 02792 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci & Engn Seoul 04763 South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
Monolithic integration; InGaAs imager; high-resolution imaging;
机译:使用激光处理在InGaAs-InGaAsP多量子阱结构中进行单片集成
机译:通过使用高通量外延升降向高分辨率成像系统,通过使用高通量外延升降机的可见GaAs和近红外ingaAs的单片集成
机译:具有3D单片集成功能的FDSOI底部MOSFET的稳定性与顶部晶体管的热预算
机译:创新的源极/漏极触点进行热量分流,以实现InGaAs MOSFET的单片3D集成
机译:半导体电路层的三维集成(3DI):新设备和制造工艺。
机译:nc-Si / c-Si异质结MOSFET压力传感器的制造和特性
机译:通过使用高通量外延升降向高分辨率成像系统,通过使用高通量外延升降机的可见GaAs和近红外ingaAs的单片集成