Düzlemsel yapıya sahip ıngaas temelli bir çig fotodedektör yapısı ve fabrikasyon yöntemi.

摘要

Bu buluş, düzlemsel yapıya sahip indiyum galyum arsenik (InGaAs) temelli çığ fotodedektörier ıle ilgili olup; özellikle metal yansıtıcı tabakaya (5) sahip olup, kontak pedinin (6) elektroliz yöntemi ile altın (Au) metali kaplanmış olan düzlemsel yapıya sahip InGaAs temelli bir çığ fotodedektör (100) yapısı ve bunun fabrikasyon yöntemi ile ilgilidir.