一种基于InGaAs材料的光电探测器及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种基于InGaAs材料的光电探测器及其制造方法，该光电探测器外延结构从下至上依次包括：衬底、InP缓冲层、N+‑InGaAs接触层、N型InP、InGaAsP带隙过渡层、InGaAs本征吸收层、P型掺杂渐变InGaAs光窗层，其中：P型掺杂渐变InGaAs光窗层中掺杂InGaAs材料的浓度逐渐改变，在N型InP层经N+‑InGaAs接触层引出N型欧姆电极，在P型掺杂渐变InGaAs光窗层引出P型欧姆电极。本发明实施例提供的一种光电探测器及其制造方法，光窗采用掺杂渐变的InGaAs材料作为P区结构，该结构能够在P区建立扩散自建电场，自建电场有效地克服了光生载流子的自吸收问题，从而有效提高光电探测器的量子效率和响应速度，满足高速通信系统的传输需求。