首页> 外国专利> Bir dört dilimli fotodedektör yapısı ve fabrikasyon yöntemi.

Bir dört dilimli fotodedektör yapısı ve fabrikasyon yöntemi.

机译:四层光电探测器的结构和制造方法。

摘要

Bu buluşta yem geliştirilmiş bir p - tipi kontak (6) malzemesi içeren p-i-n yapısında bulunan bir dört dilimli fotodedektör (100) eklem yapısı ve söz konusu fotodedektör (100) fabrikasyon yöntem adımları anlatılmaktadır. Bu buluşta anlatılan fotodedektör (100) her türlü geometrik şekilde olup, tercihen dairesel şekilde olmaktadır. Buluşun tercih edilen uygulamasında bir tam dairenin her bir çeyrek parçası bir dilim (13, 14, 15, 16) adlandırılmakta olup söz konusu dört dilimli fotodedektörün (100) eklem yapısı bir silisyum alttaş (1), söz konusu alttaşın arka yüzeyinde (12) bir n - fipi katkılı tabaka (2), söz konusu alttaşın ön yüzeyinde (11) bır p - fipi katkılı tabaka (3), söz konusu alttaşın ön yüzeyinde (11) en az iki katmanlı ve her bir katmanı iki ayrı ince tabakası (41, 42) içeren bir yansıtıcı tabaka (4), bir yansıtmasız tabaka (5), söz konusu alttaşın ön yüzeyinde (11) bir p - fipi kontak (6) ve söz konusu alttaşın arka yüzeyinde (12) bir n - fipi kontak (7) olmak üzere temel olarak yedi tabaka içermektedir.Bu buluşta söz konusu dört dilimli fotodedektörün (100) fabrikasyon yöntem adımları da anlatılmakta olup, elde edilen fotodedektör (100) pozisyon duyarlı olmaktadır.
机译:在本发明中,描述了一种p-i-n结构的四层光电检测器(100)的接头结构,其包括馈送显影的p型接触(6)材料和所述光电检测器(100)的制造方法步骤。在本发明中描述的光电检测器100具有任何几何形状,优选地为圆形。在本发明的优选实施例中,将整个四分之一圆的每个四分之一片称为片(13、14、15、16),并且所述四层光检测器(100)的关节结构是在所述衬底的背面(12)上的硅衬底(1),硅衬底(1)。 n-纤维掺杂层(2)由所讨论的副石的前表面(11)上的p-纤维掺杂层(3),所述基底的前表面(11)上的至少两层以及两个单独的薄层(41,每层)组成42),反射层(4),抗反射层(5),在所述基板的前表面(11)上的p型触点(6)和在所述基板的后表面(12)上的n型触点(7)。在本发明中,还描述了所述四层光电检测器(100)的制造方法步骤,并且所获得的光电检测器(100)是位置敏感的。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号