Mg0.05Zn0.95O基MSM结构光电导型紫外探测器的制备

摘要

室温下采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备Mg0.05Zn0.95O薄膜，在500℃空气中退火1h后利用直流磁控溅射技术在Mg0.05Zn0.95O薄膜表面制备Al叉指电极，从而制备出金属-半导体-金属(MSM)结构的光电导型紫外探测器。经验证表明，在5V偏压下，器件的暗电流为290nA，峰值响应度为0.14A/W(355nm)。其紫外光(355nm)与可见光(450nm)的抑制比高于2个数量级。并且制备的Mg0.05Zn0.95O薄膜能够很好地吸收紫外光，并且相当于ZnO薄膜，它的吸收边有轻微的蓝移。